据知情人士透露，尽管近期股价波动较大，韩国存储芯片制造商SK海力士(SKHY.US)仍向投资者表示，计划将其美国上市的美国存托凭证(ADR)发行价定为每份149美元，较其韩国首尔上市普通股周四收盘价溢价约3.1%。
根据此前提交给美国证券交易委员会(SEC)的一份上市发行文件，每份SK海力士ADR发行相当于十分之一股该公司普通股。此次ADR发行规模最终确定为1779万股普通股(对应1.779亿份ADR)。数据显示，若按每份ADR 149美元的发行价计算，此次发行募资规模约为265亿美元。这将成为外国公司在美国进行的有史以来规模最大的首次公开募股(IPO)，超过阿里巴巴集团此前创下的250亿美元IPO纪录。SK海力士ADR将于周五(7月10日)正式挂牌纳斯达克并开始交易。
据悉，SK海力士此次ADR发行已获得超过7倍超额认购。知情人士此前表示，此次发行吸引了包括全球长期投资基金、科技行业专注基金、主权财富基金以及专注亚洲市场的全球投资机构等众多机构投资者的需求。SK海力士已获得Baillie Gifford、Coatue Management以及Situational Awareness Partners等机构的认购意向，这些机构拟认购的ADR金额合计最高可达70亿美元。
SK海力士ADR发行吸引投资者踊跃认购，反映全球资本对AI存储产业链的定价共识。SK海力士为全球第二大DRAM厂商及HBM全球市占第一厂商，2026年一季度HBM市场份额达56.4%，NAND闪存全球份额18.5%，同期净利润同比增长398%，营业利润率超过70%，深度绑定英伟达形成联合研发关系。
值得注意的是，此次发行正值SK海力士韩国上市股票以及美国上市竞争对手美光科技(MU.US)股价近日剧烈波动之际。随着市场对人工智能(AI)基础设施投资的狂热情绪开始降温，相关芯片股出现明显震荡。SK海力士韩国上市股票价格周四收盘较6月底创下的历史收盘高点下跌25%，不过较今年年初水平仍上涨逾三倍。
SK海力士表示，此次上市旨在提升公司在全球资本市场的知名度，争取更合理的市场估值。该公司认为，尽管已在AI内存市场确立领先地位，但当前估值仍低于美光。
此外，SK海力士表示，募集资金将重点投向龙仁半导体集群首座晶圆厂建设、清州P&T7园区先进封装设施扩建，以及美国印第安纳州AI内存封装工厂建设。同时，公司还将采购极紫外(EUV)光刻设备，进一步提升先进制程制造能力。整体来看，此次募资投向高度聚焦于HBM、先进封装及高端制造产能扩张，与SK海力士持续巩固AI芯片供应链竞争优势、满足快速增长的AI内存需求的长期战略保持一致。